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FDT434P
MOSFET Transistor, P Channel, 6 A, -20 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -600 mV RoHS Compliant: Yes
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Já não é fabricado
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDT434P
Código Newark47T5052
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation3W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jan-2018)
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