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NTE185
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-126, Through Hole
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Informação do produto
FabricanteNTE ELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteNTE185Cópia
Código Newark42M2405
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Collector Emitter Voltage Max80V
Continuous Collector Current4A
DC Collector Current4A
Power Dissipation Pd40W
Power Dissipation40W
Transistor MountingThrough Hole
DC Current Gain hFE80hFE
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleTO-126
Transition Frequency2MHz
DC Current Gain hFE Min80hFE
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (16-Jul-2019)
Alternativas para NTE185
2 produtos encontrados
Descrição geral do produto
The NTE185 is a -80V Silicon PNP Complementary Transistor designed for use in power amplifier and switching circuits.
- Excellent safe area limits
- Audio power amplifier/switch
Aplicações
Industrial
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
80V
DC Collector Current
4A
Power Dissipation
40W
DC Current Gain hFE
80hFE
Transistor Case Style
TO-126
DC Current Gain hFE Min
80hFE
Qualification
-
SVHC
No SVHC (16-Jul-2019)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
Continuous Collector Current
4A
Power Dissipation Pd
40W
Transistor Mounting
Through Hole
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
2MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (16-Jul-2019)
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