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PSMN2R8-80BS,118
MOSFET, N-CH, 80V, 120A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 7.560 |
| 10+ | $ 4.830 |
| 25+ | $ 4.590 |
| 50+ | $ 4.360 |
| 100+ | $ 4.110 |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePSMN2R8-80BS,118
Código Newark74AH1197
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id120A
On Resistance Rds(on)0.00255ohm
Drain Source On State Resistance2550µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd306W
Power Dissipation306W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.00255ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
306W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Drain Source On State Resistance
2550µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
306W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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