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PSMN030-60YS,115
MOSFET,N CHANNEL,60V,29A,LFPAK
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FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePSMN030-60YS,115
Código Newark
Rodo à Medida13T9532
Segmento de fita13T9532
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.870 | $ 1.87 |
| Total Preço | $ 1.87 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.870 |
| 10+ | $ 1.170 |
| 25+ | $ 1.030 |
| 50+ | $ 0.898 |
| 100+ | $ 0.763 |
| 250+ | $ 0.676 |
| 500+ | $ 0.588 |
| 1000+ | $ 0.503 |
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePSMN030-60YS,115
Código Newark
Rodo à Medida13T9532
Segmento de fita13T9532
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.0191ohm
On Resistance Rds(on)0.0191ohm
Transistor Case StyleSOT-669
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd56W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation56W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The PSMN030-60YS is a N-channel standard level MOSFET with advanced TrenchMOS technology provides low RDS (ON) and low gate charge. It is designed and qualified for use in a wide range of DC-to-DC convertor, lithium-ion battery protection, load switching, server power supplies and domestic equipment applications.
- Improved mechanical and thermal characteristics
- High efficiency gains in switching power converters
- LFPAK provides maximum power density in a power SO8 package
- -55 to 175°C Junction temperature range
Aplicações
Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, Motor Drive & Control, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
29A
On Resistance Rds(on)
0.0191ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
56W
Power Dissipation
56W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0191ohm
Transistor Case Style
SOT-669
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (3)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos