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PMZB290UNE2YL
MOSFET, N-CH, 20V, 1.2A, SOT-883B-3
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePMZB290UNE2YLCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5993
Rodo à Medida68Y7856RL
Segmento de fita68Y7856
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Rolo completo | 5 | $ 0.081 | $ 0.00 |
| Total Preço | $ 0.40 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.288 |
| 15+ | $ 0.181 |
| 25+ | $ 0.177 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 10000+ | $ 0.081 |
| 30000+ | $ 0.073 |
| 50000+ | $ 0.062 |
Se você quiser uma quantidade menor, pode selecionar outro tipo de embalagem
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePMZB290UNE2YLCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5993
Rodo à Medida68Y7856RL
Segmento de fita68Y7856
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.2A
Drain Source On State Resistance0.27ohm
Transistor Case StyleSOT-883B
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.2A
Transistor Case Style
SOT-883B
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.27ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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