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PMV230ENEAR
MOSFET, N- CH, 60V, 1.5A, TO-236AB
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FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePMV230ENEARCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5970
Segmento de fita99Y2082
Seu número de peça
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Rolo completo | 5 | $ 0.140 | $ 0.00 |
| Total Preço | $ 0.70 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.700 |
| 10+ | $ 0.433 |
| 25+ | $ 0.382 |
| 50+ | $ 0.329 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.140 |
| 6000+ | $ 0.133 |
| 12000+ | $ 0.126 |
| 18000+ | $ 0.117 |
| 30000+ | $ 0.109 |
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePMV230ENEARCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5970
Segmento de fita99Y2082
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id1.5A
Drain Source On State Resistance0.222ohm
Transistor Case StyleTO-236AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation480mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.5A
Transistor Case Style
TO-236AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
480mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.222ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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