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PMT280ENEAX
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, SOT-223
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FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePMT280ENEAXCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5957
Rodo à Medida69AC3133RL
Segmento de fita69AC3133
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Rolo completo | 1 | $ 0.292 | $ 0.00 |
| Total Preço | $ 0.29 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.140 |
| 10+ | $ 0.706 |
| 25+ | $ 0.622 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 0.292 |
| 2000+ | $ 0.277 |
| 4000+ | $ 0.261 |
| 6000+ | $ 0.245 |
| 10000+ | $ 0.224 |
Se você quiser uma quantidade menor, pode selecionar outro tipo de embalagem
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePMT280ENEAXCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5957
Rodo à Medida69AC3133RL
Segmento de fita69AC3133
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id1.5A
Drain Source On State Resistance0.285ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation770mW
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.5A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
770mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.285ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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