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NX7002AK,215
MOSFET, SINGLE, N CHANNEL, 60V, 0.19A, SOT23
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| 500+ | $ 0.061 |
| 1000+ | $ 0.049 |
| 2500+ | $ 0.042 |
| 12000+ | $ 0.035 |
| 27000+ | $ 0.032 |
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Mínimo: 5
Vários: 5
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteNX7002AK,215
Código Newark43W6129
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id190mA
Drain Source On State Resistance4.5ohm
On Resistance Rds(on)3ohm
Transistor Case StyleTO-236AB
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd265mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation265mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
The NX7002AK is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a Surface Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- Very Fast Switching
- ESD Protection Upto 1.5kV
Aplicações
Audio, Power Management, Signal Processing
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
190mA
On Resistance Rds(on)
3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
265mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
4.5ohm
Transistor Case Style
TO-236AB
Power Dissipation Pd
265mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (3)
Alternativas para NX7002AK,215
2 produtos encontrados
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Rastreabilidade de produtos