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NSF080120D7A0J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263
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FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteNSF080120D7A0JCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida03AM5741RL
Segmento de fita03AM5741
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 20.870 | $ 20.87 |
| Total Preço | $ 20.87 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 20.870 |
| 10+ | $ 15.780 |
| 25+ | $ 14.910 |
| 50+ | $ 14.020 |
| 100+ | $ 13.140 |
| 250+ | $ 11.110 |
| 500+ | $ 9.050 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteNSF080120D7A0JCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida03AM5741RL
Segmento de fita03AM5741
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id33A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.064ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation167W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
33A
Drain Source On State Resistance
0.064ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
167W
Product Range
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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