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NSF040120L4A1Q
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 53A, TO-247
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FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteNSF040120L4A1QCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark
Rodo à Medida27AM4592RL
Segmento de fita27AM4592
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 13.460 | $ 13.46 |
| Total Preço | $ 13.46 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 13.460 |
| 50+ | $ 8.530 |
| 100+ | $ 8.110 |
| 250+ | $ 7.690 |
| 500+ | $ 7.270 |
| 1000+ | $ 7.190 |
| 2500+ | $ 7.050 |
| 5000+ | $ 6.900 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteNSF040120L4A1QCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark
Rodo à Medida27AM4592RL
Segmento de fita27AM4592
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id53A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation234W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
53A
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
234W
Product Range
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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