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GAN140-650FBEZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN5060, Surface Mount
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 15.590 |
| 10+ | $ 10.980 |
| 25+ | $ 10.520 |
| 50+ | $ 10.040 |
| 100+ | $ 8.500 |
| 250+ | $ 8.400 |
| 500+ | $ 8.330 |
| 1000+ | $ 8.230 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 15.59
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteGAN140-650FBEZ
Código Newark74AK7563
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.106ohm
Typical Gate Charge3.5nC
Transistor Case StyleDFN5060
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.106ohm
Transistor Case Style
DFN5060
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
17A
Typical Gate Charge
3.5nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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