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BUK4D110-20PH
MOSFET, P-CH, 20V, 3.4A, DFN2020MD
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteBUK4D110-20PHCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rodo à Medida19AM9925RL
Segmento de fita19AM9925
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 10 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 1.510 | $ 7.55 |
| Total Preço | $ 7.55 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 1.510 |
| 10+ | $ 1.040 |
| 25+ | $ 0.912 |
| 50+ | $ 0.784 |
| 100+ | $ 0.646 |
| 250+ | $ 0.532 |
| 500+ | $ 0.406 |
| 1000+ | $ 0.301 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteBUK4D110-20PHCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rodo à Medida19AM9925RL
Segmento de fita19AM9925
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.4A
Drain Source On State Resistance0.096ohm
Transistor Case StyleDFN2020MD
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage8V
Gate Source Threshold Voltage Max1.3V
Power Dissipation2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.4A
Transistor Case Style
DFN2020MD
Rds(on) Test Voltage
8V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.096ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.3V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto