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2N7002NXBKR
MOSFET, N-CH, 60V, 0.27A, SOT-23
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricante2N7002NXBKR
Código Newark
Rodo à Medida29AH8644
Segmento de fita29AH8644
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.260 | $ 0.26 |
| Total Preço | $ 0.26 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.260 |
| 10+ | $ 0.163 |
| 25+ | $ 0.143 |
| 50+ | $ 0.123 |
| 100+ | $ 0.102 |
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricante2N7002NXBKR
Código Newark
Rodo à Medida29AH8644
Segmento de fita29AH8644
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id270mA
Drain Source On State Resistance2.8ohm
On Resistance Rds(on)2.2ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd310mW
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation310mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2.8ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
270mA
On Resistance Rds(on)
2.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
310mW
Power Dissipation
310mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para 2N7002NXBKR
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos