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2N7002NXAKR
MOSFET, N-CH, 60V, 0.19A, TO-236AB
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FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricante2N7002NXAKR
Código Newark
Rodo à Medida29AH8643
Segmento de fita29AH8643
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.243 | $ 0.24 |
| Total Preço | $ 0.24 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.243 |
| 10+ | $ 0.151 |
| 25+ | $ 0.132 |
| 50+ | $ 0.112 |
| 100+ | $ 0.093 |
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricante2N7002NXAKR
Código Newark
Rodo à Medida29AH8643
Segmento de fita29AH8643
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id190mA
Drain Source On State Resistance4.5ohm
On Resistance Rds(on)3ohm
Transistor Case StyleTO-236AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd265mW
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation265mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para 2N7002NXAKR
1 produto encontrado
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
4.5ohm
Transistor Case Style
TO-236AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
190mA
On Resistance Rds(on)
3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
265mW
Power Dissipation
265mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
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