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CM50DU-24H
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 50 A, 2.9 V, 400 W, 150 °C, Module
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteMITSUBISHI ELECTRIC
Nº da peça do fabricanteCM50DU-24H
Código Newark09B2229
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 28 Semana(s)
Informação do produto
FabricanteMITSUBISHI ELECTRIC
Nº da peça do fabricanteCM50DU-24H
Código Newark09B2229
Ficha técnica
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Transistor PolarityDual N Channel
DC Collector Current50A
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.9V
Collector Emitter Saturation Voltage2.9V
Power Dissipation Pd400W
Power Dissipation400W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature, Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
No. of Pins7Pins
IGBT TerminationTab
IGBT Technology-
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.9V
Power Dissipation Pd
400W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
150°C
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
-
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.9V
Power Dissipation
400W
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Tab
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Não
Ftalatos compatíveis com RoHS:Não
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto