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CM400DU-5F
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 400 A, 1.7 V, 890 W, 150 °C, Module
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteMITSUBISHI ELECTRIC
Nº da peça do fabricanteCM400DU-5F
Código Newark31C0203
Gama de produtosF Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 28 Semana(s)
Informação do produto
FabricanteMITSUBISHI ELECTRIC
Nº da peça do fabricanteCM400DU-5F
Código Newark31C0203
Gama de produtosF Series
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Continuous Collector Current400A
DC Collector Current400A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)250V
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation890W
Power Dissipation Pd890W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo250V
Junction Temperature, Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
No. of Pins7Pins
IGBT TerminationTab
Collector Emitter Voltage Max250V
IGBT TechnologyIGBT 5 [Trench Gate]
Transistor MountingPanel
Product RangeF Series
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
400A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
250V
Power Dissipation
890W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
250V
Operating Temperature Max
150°C
No. of Pins
7Pins
Collector Emitter Voltage Max
250V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
400A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Power Dissipation Pd
890W
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Tab
IGBT Technology
IGBT 5 [Trench Gate]
Product Range
F Series
Documentação técnica (1)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Não
Ftalatos compatíveis com RoHS:Não
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto