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CM150DY-12NF
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 150 A, 2.2 V, 590 W, 150 °C, Module
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteMITSUBISHI ELECTRIC
Nº da peça do fabricanteCM150DY-12NF
Código Newark32H5453
Gama de produtosNF Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 30 Semana(s)
Informação do produto
FabricanteMITSUBISHI ELECTRIC
Nº da peça do fabricanteCM150DY-12NF
Código Newark32H5453
Gama de produtosNF Series
Ficha técnica
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Continuous Collector Current150A
DC Collector Current150A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
Power Dissipation590W
Power Dissipation Pd590W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo600V
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max600V
IGBT TechnologyIGBT 5 [Trench Gate]
Transistor MountingPanel
Product RangeNF Series
SVHCTo Be Advised
Descrição geral do produto
The CM150DY-12NF is a 600V Dual IGBTMOD™ NF series Module designed for use in switching applications. Each module consists of two IGBT Transistors in a half bridge configuration with each transistor having a reverse-connected super-fast recovery free-wheel diode. All components and interconnects are isolated from the heat sinking baseplate, offering simplified system assembly and thermal management.
- Low drive power
- Low Vce (sat)
- Discrete super-fast recovery free-wheel diode
- Isolated baseplate for easy heat sinking
Aplicações
Motor Drive & Control, Power Management
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
150A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.2V
Power Dissipation Pd
590W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
IGBT 5 [Trench Gate]
Product Range
NF Series
Continuous Collector Current
150A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7V
Power Dissipation
590W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
600V
Junction Temperature, Tj Max
150°C
IGBT Termination
Tab
Collector Emitter Voltage Max
600V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (2)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto