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MT8KTF51264HZ-1G9P1
RAM Memory Module, 4 GB, 1.866 GHz, PC3-14900, 204-Pin DDR3L SDRAM SO-DIMM, Notebook SODIMM
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FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT8KTF51264HZ-1G9P1
Código Newark80AH8517
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Ficha técnica
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 174.290 |
| 5+ | $ 167.540 |
| 10+ | $ 160.780 |
| 25+ | $ 155.470 |
| 50+ | $ 154.420 |
| 100+ | $ 146.240 |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT8KTF51264HZ-1G9P1
Código Newark80AH8517
Ficha técnica
Memory Density4GB
Memory Speed1.866GHz
Module MemoryPC3-14900
Module Form Factor204-Pin DDR3L SDRAM SO-DIMM
Memory ApplicationNotebook SODIMM
Memory Configuration512M x 64bit
Supply Voltage Min1.283V
Supply Voltage Max1.45V
Supply Voltage Nom1.35V
Operating Temperature Min0°C
Operating Temperature Max70°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Especificações Técnicas
Memory Density
4GB
Module Memory
PC3-14900
Memory Application
Notebook SODIMM
Supply Voltage Min
1.283V
Supply Voltage Nom
1.35V
Operating Temperature Max
70°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Memory Speed
1.866GHz
Module Form Factor
204-Pin DDR3L SDRAM SO-DIMM
Memory Configuration
512M x 64bit
Supply Voltage Max
1.45V
Operating Temperature Min
0°C
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:4A994
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Jan-2023)
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