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MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B
DRAM, LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins
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FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT53E512M32D1ZW-046 AIT:B
Código Newark80AJ9997
Seu número de peça
Ficha técnica
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 41 Semana(s)
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 150.340 |
| 5+ | $ 146.300 |
| 10+ | $ 142.090 |
| 25+ | $ 139.990 |
| 50+ | $ 137.940 |
| 100+ | $ 129.660 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 150.34
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Informação do produto
FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT53E512M32D1ZW-046 AIT:B
Código Newark80AJ9997
Ficha técnica
DRAM TypeLPDDR4
DRAM Density16Gbit
Memory Density16Gbit
Memory Configuration512M x 32bit
DRAM Memory Configuration512M x 32bit
Clock Frequency2.133GHz
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageTFBGA
Memory Case StyleTFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
Access Time468ps
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max95°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Descrição geral do produto
MT53E512M32D1 is a 16Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8-banks.
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable VSS (ODT) termination
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, partial-array self refresh (PASR)
- Selectable output drive strength (DS), clock-stop capability, single-ended CK and DQS support
- 1.10V VDD2 / 0.60V VDDQ or 1.10V VDDQ operating voltage
- 512 Meg x 32 configuration, LPDDR4, 1 die addressing
- 200-ball TFBGA (Ø0.40 SMD) package, 468ps cycle time
- Operating temperature rating range from -40°C to +95°C
Especificações Técnicas
DRAM Type
LPDDR4
Memory Density
16Gbit
DRAM Memory Configuration
512M x 32bit
Clock Frequency Max
2.133GHz
Memory Case Style
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
95°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
DRAM Density
16Gbit
Memory Configuration
512M x 32bit
Clock Frequency
2.133GHz
IC Case / Package
TFBGA
No. of Pins
200Pins
Access Time
468ps
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificado de conformidade do produto