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MT53E1G64D4HJ-046 AIT:C
DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 1G x 64bit, 2.133 GHz, TFBGA, 556 Pins
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FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT53E1G64D4HJ-046 AIT:CCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark25AK7961
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| Quantidade | Preço |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT53E1G64D4HJ-046 AIT:CCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark25AK7961
DRAM TypeMobile LPDDR4
DRAM Density64Gbit
Memory Density64Gbit
Memory Configuration1G x 64bit
DRAM Memory Configuration1G x 64bit
Clock Frequency Max2.133GHz
Clock Frequency2.133GHz
Memory Case StyleTFBGA
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins556Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Access Time468ps
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max95°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Descrição geral do produto
MT53E1G64D4HJ-046 AIT:C is a LPDDR4 SDRAM. It is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This memory is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8-banks. It has programmable VSS (ODT) termination and single-ended CK and DQS support. This memory has directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling.
- Operating voltage is 1.10V (VDD2) 0.60V or 1.10V (VDDQ)
- 1Gig x 64 configuration, LPDDR4, 4die addressing
- Packaging style is 556-ball TFBGA
- Cycle time is 468ps at RL = 36/40, clock-stop capability
- Operating temperature range is –40°C to +95°C, automotive certified, C design
- Clock rate is 2133MHz, data rate per pin is 4266Mb/s
- Ultra-low-voltage core and I/O power supplies
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), selectable output drive strength (DS)
Especificações Técnicas
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Density
64Gbit
DRAM Memory Configuration
1G x 64bit
Clock Frequency
2.133GHz
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Access Time
468ps
Operating Temperature Max
95°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
DRAM Density
64Gbit
Memory Configuration
1G x 64bit
Clock Frequency Max
2.133GHz
Memory Case Style
TFBGA
No. of Pins
556Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidade do produto