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MT53D512M32D2DS-046 WT:D
DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pins
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT53D512M32D2DS-046 WT:D
Código Newark80AH8245
Seu número de peça
Ficha técnica
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 42 Semana(s)
Informação do produto
FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT53D512M32D2DS-046 WT:D
Código Newark80AH8245
Ficha técnica
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density16Gbit
DRAM Density16Gbit
Memory Configuration512M x 32bit
DRAM Memory Configuration512M x 32bit
Clock Frequency2.133GHz
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageWFBGA
Memory Case StyleWFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Access Time468ps
Operating Temperature Min-25°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Especificações Técnicas
DRAM Type
Mobile LPDDR4
DRAM Density
16Gbit
DRAM Memory Configuration
512M x 32bit
Clock Frequency Max
2.133GHz
Memory Case Style
WFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Access Time
468ps
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Memory Density
16Gbit
Memory Configuration
512M x 32bit
Clock Frequency
2.133GHz
IC Case / Package
WFBGA
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Min
-25°C
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidade do produto