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MT29GZ6A6BPIET-53IT.112
Flash Memory, NAND with Mobile LPDDR, 8 Gbit, 1G x 8bit, Parallel, VFBGA, 149 Pins
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT29GZ6A6BPIET-53IT.112Cópia
Código Newark80AH7865
Gama de produtos1.8V Parallel NAND with Mobile LPDDR Flash Memories
Seu número de peça
Já não é fabricado
Informação do produto
FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT29GZ6A6BPIET-53IT.112Cópia
Código Newark80AH7865
Gama de produtos1.8V Parallel NAND with Mobile LPDDR Flash Memories
Flash Memory TypeNAND with Mobile LPDDR
Memory Density8Gbit
Memory Size8Gbit
Flash Memory Configuration1G x 8bit
Memory Configuration1G x 8bit
IC Interface TypeParallel
InterfacesParallel
IC Case / PackageVFBGA
Memory Case StyleVFBGA
No. of Pins149Pins
Clock Frequency Max1.866GHz
Clock Frequency1.866GHz
Access Time25ns
Supply Voltage Min1.7V
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom1.8V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range1.8V Parallel NAND with Mobile LPDDR Flash Memories
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Especificações Técnicas
Flash Memory Type
NAND with Mobile LPDDR
Memory Size
8Gbit
Memory Configuration
1G x 8bit
Interfaces
Parallel
Memory Case Style
VFBGA
Clock Frequency Max
1.866GHz
Access Time
25ns
Supply Voltage Max
3.6V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Memory Density
8Gbit
Flash Memory Configuration
1G x 8bit
IC Interface Type
Parallel
IC Case / Package
VFBGA
No. of Pins
149Pins
Clock Frequency
1.866GHz
Supply Voltage Min
1.7V
Supply Voltage Nom
1.8V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
1.8V Parallel NAND with Mobile LPDDR Flash Memories
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidade do produto