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VP0808L-G
D-MOSFET, P-CH, -0.28A, -80V, TO-92-3
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Informação do produto
FabricanteMICROCHIP
Nº da peça do fabricanteVP0808L-G
Código Newark55AC4286
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id280mA
Drain Source On State Resistance5ohm
On Resistance Rds(on)5ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd1W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Case Style
TO-92
Power Dissipation Pd
1W
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
280mA
On Resistance Rds(on)
5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Rastreabilidade de produtos