DN3545N8-G
Power MOSFET, Depletion-Mode, N Channel, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Surface Mount
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.020 | $ 1.02 |
| Total Preço | $ 1.02 | ||
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.020 |
| 10+ | $ 0.927 |
| 25+ | $ 0.834 |
| 50+ | $ 0.803 |
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 0.773 |
Informação do produto
Alternativas para DN3545N8-G
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Descrição geral do produto
The DN3545N8-G is a N-channel depletion-mode vertical DMOS FET utilizing an advanced vertical DMOS structure and Supertex's well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistor and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS device. Characteristic of all MOS structure, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. The normally-on DMOS FET is ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speed are desired.
- Low ON-resistance
- Free from secondary breakdown
- Low input and output leakage
Especificações Técnicas
N Channel
450V
20ohm
SOT-89
0V
-
3Pins
-
MSL 1 - Unlimited
N Channel
200mA
20ohm
Surface Mount
1.6W
1.6W
150°C
-
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidade do produto