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APTGX900A170TDP3EG
IGBT Module, Half Bridge, 900 A, 1.7 V, 3.26 kW, 175 °C, Module
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FabricanteMICROCHIP
Nº da peça do fabricanteAPTGX900A170TDP3EG
Código Newark59AM4978
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Tempo de Espera Habitual do Fabricante 17 Semana(s)
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 292.720 |
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Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteMICROCHIP
Nº da peça do fabricanteAPTGX900A170TDP3EG
Código Newark59AM4978
Ficha técnica
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current900A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation3.26kW
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT TechnologyIGBT 7 [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
IGBT 7 [Trench]
Product Range
-
Continuous Collector Current
900A
Power Dissipation
3.26kW
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:A ser informado
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jan-2018)
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