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MG12150S-BN2MM
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 200 A, 1.7 V, 625 W, 125 °C, Module
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 11 Semana(s)
Informação do produto
FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteMG12150S-BN2MM
Código Newark31Y2584
Ficha técnica
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Transistor PolarityDual NPN
Continuous Collector Current200A
DC Collector Current200A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
Power Dissipation625W
Power Dissipation Pd625W
Junction Temperature, Tj Max125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleModule
No. of Pins7Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
Continuous Collector Current
200A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Power Dissipation
625W
Junction Temperature, Tj Max
125°C
Operating Temperature Max
125°C
No. of Pins
7Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
Dual NPN
DC Collector Current
200A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7V
Power Dissipation Pd
625W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
