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MG0675S-BN4MM
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 100 A, 1.45 V, 250 W, 150 °C, Module
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 12 Semana(s)
Informação do produto
FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteMG0675S-BN4MM
Código Newark31Y2579
Ficha técnica
Transistor PolarityDual NPN
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
DC Collector Current100A
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Power Dissipation250W
Power Dissipation Pd250W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo600V
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max600V
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
Dual NPN
DC Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.45V
Power Dissipation
250W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
600V
Junction Temperature, Tj Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
600V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
Continuous Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Power Dissipation Pd
250W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
-
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
