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IXBX50N360HV
IGBT, 125 A, 2.4 V, 660 W, 3.6 kV, TO-247PLUS-HV, 3 Pins
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FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXBX50N360HV
Código Newark29AK0380
Gama de produtosBiMOSFET Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 117.740 |
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Informação do produto
FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXBX50N360HV
Código Newark29AK0380
Gama de produtosBiMOSFET Series
Ficha técnica
Continuous Collector Current125A
Collector Emitter Saturation Voltage2.4V
Power Dissipation660W
Collector Emitter Voltage Max3.6kV
Transistor Case StyleTO-247PLUS-HV
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeBiMOSFET Series
MSL-
SVHCTo Be Advised
Descrição geral do produto
High voltage, high frequency BiMOSFET™ monolithic Bipolar MOS transistor suitable for use in switched-mode and resonant-mode power supplies, Uninterruptible power supplies (UPS), laser generator, capacitor discharge circuit applications.
- High blocking voltage
- High voltage package
- Low conduction losses
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Especificações Técnicas
Continuous Collector Current
125A
Power Dissipation
660W
Transistor Case Style
TO-247PLUS-HV
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
BiMOSFET Series
SVHC
To Be Advised
Collector Emitter Saturation Voltage
2.4V
Collector Emitter Voltage Max
3.6kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
