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IXBK75N170
IGBT, 200 A, 2.6 V, 1.04 kW, 1.7 kV, TO-264, 3 Pins
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FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXBK75N170
Código Newark03AH0372
Gama de produtosBiMOSFET Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 69.000 |
| 5+ | $ 62.300 |
| 10+ | $ 56.760 |
| 25+ | $ 54.830 |
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Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXBK75N170
Código Newark03AH0372
Gama de produtosBiMOSFET Series
Ficha técnica
Continuous Collector Current200A
DC Collector Current200A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.6V
Collector Emitter Saturation Voltage2.6V
Power Dissipation Pd1.04kW
Power Dissipation1.04kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
Transistor Case StyleTO-264
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeBiMOSFET Series
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Continuous Collector Current
200A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.6V
Power Dissipation Pd
1.04kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
Transistor Case Style
TO-264
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
BiMOSFET Series
DC Collector Current
200A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.6V
Power Dissipation
1.04kW
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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