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IXTP3N120
Power MOSFET, N Channel, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Through Hole
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| 50+ | $ 6.910 |
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXTP3N120
Código Newark58M7663
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance4.5ohm
On Resistance Rds(on)4.5ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd200W
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Descrição geral do produto
The IXTP3N120 is a high voltage N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and rated for unclamped inductive load switching (UIS).
- High dV/dt
- International standard package
- Low RDS (ON)
- UL94V-0 Flammability rating
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
On Resistance Rds(on)
4.5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
200W
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
4.5ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (2)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
