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IXFH34N65X2
MOSFET, N-CH, 650V, 34A, TO-247
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFH34N65X2
Código Newark02AC9798
Gama de produtosHiPerFET
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 11.470 |
| 10+ | $ 10.260 |
| 25+ | $ 9.060 |
| 60+ | $ 8.720 |
| 120+ | $ 8.450 |
| 270+ | $ 8.150 |
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFH34N65X2
Código Newark02AC9798
Gama de produtosHiPerFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id34A
On Resistance Rds(on)0.1ohm
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd540W
Power Dissipation540W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHiPerFET
Qualification-
SVHCLead (17-Jan-2023)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.1ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
540W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HiPerFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
34A
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
540W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (17-Jan-2023)
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