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SPW32N50C3FKSA1
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 32 A, 0.11 ohm, TO-247, Through Hole
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteSPW32N50C3FKSA1
Código Newark98K0741
Também conhecido porSPW32N50C3, SP000014625
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 20 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 10.660 |
| 10+ | $ 9.630 |
| 25+ | $ 9.070 |
| 50+ | $ 8.530 |
| 100+ | $ 7.970 |
| 480+ | $ 7.460 |
| 720+ | $ 6.940 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 10.66
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteSPW32N50C3FKSA1
Código Newark98K0741
Também conhecido porSPW32N50C3, SP000014625
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id32A
Drain Source On State Resistance0.11ohm
On Resistance Rds(on)0.09ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd284W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation284W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The SPW32N50C3 is a CoolMOS™ N-channel Power MOSFET comes with a new revolutionary high voltage technology. It offers ultra-low gate charge and ultra-low effective capacitances. The 500V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the “working horse" of the portfolio.
- Low specific ON-state resistance
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss) @ 400V
- Low gate charge (Qg)
- Field proven CoolMOS™ quality
- High efficiency and power density
- High reliability
- Ease of use
- Periodic avalanche rated
- Extreme dV/dt rated
- Improved transconductance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Green device
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
32A
On Resistance Rds(on)
0.09ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
284W
Power Dissipation
284W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto