Imprimir página
SPD07N60C3ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 7.3 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteSPD07N60C3ATMA1
Código Newark33P8209
Também conhecido porSPD07N60C3, SP001117774
Seu número de peça
2,139 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-4 Dias Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.080 |
| 10+ | $ 2.000 |
| 25+ | $ 1.790 |
| 50+ | $ 1.590 |
| 100+ | $ 1.380 |
| 250+ | $ 1.270 |
| 500+ | $ 1.150 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 3.08
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteSPD07N60C3ATMA1
Código Newark33P8209
Também conhecido porSPD07N60C3, SP001117774
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id7.3A
Drain Source On State Resistance0.6ohm
On Resistance Rds(on)0.54ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd83W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation83W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The SPD07N60C3 is a 650V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate current. It is suitable for server, telecom, PC power and adapter applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Improved transconductance
- Periodic avalanche rated
- Low specific ON-state resistance
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
- Field proven CoolMOS™ quality
- High efficiency and power density
- Outstanding performance
- High reliability
- Ease of use
Aplicações
Industrial, Communications & Networking, Consumer Electronics, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.6ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.3A
On Resistance Rds(on)
0.54ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
83W
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para SPD07N60C3ATMA1
1 produto encontrado
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
