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SPD02N80C3ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteSPD02N80C3ATMA1
Código Newark
Rodo à Medida33P8203
Segmento de fita33P8203
Também conhecido porSPD02N80C3, SP001117754
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.790 | $ 1.79 |
| Total Preço | $ 1.79 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.790 |
| 10+ | $ 1.140 |
| 25+ | $ 1.010 |
| 50+ | $ 0.886 |
| 100+ | $ 0.760 |
| 250+ | $ 0.679 |
| 500+ | $ 0.597 |
| 1000+ | $ 0.546 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteSPD02N80C3ATMA1
Código Newark
Rodo à Medida33P8203
Segmento de fita33P8203
Também conhecido porSPD02N80C3, SP001117754
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance2.7ohm
On Resistance Rds(on)2.4ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd42W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation42W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The SPD02N80C3 is a 800V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate current. It is suitable for PC power, solar and adapter applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- Low specific ON-state resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
- Field proven CoolMOS™ quality
- Periodic avalanche rated
- High efficiency and power density
- Outstanding performance
- High reliability
- Ease of use
Aplicações
Industrial, Consumer Electronics, Power Management, Lighting, Alternative Energy
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
On Resistance Rds(on)
2.4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
42W
Power Dissipation
42W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
2.7ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para SPD02N80C3ATMA1
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos