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SPA08N80C3XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-220, Through Hole
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteSPA08N80C3XKSA1
Código Newark98K0551
Também conhecido porSPA08N80C3, SP000216310
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.460 |
| 10+ | $ 2.510 |
| 100+ | $ 1.560 |
| 500+ | $ 1.270 |
| 1000+ | $ 1.160 |
| 2500+ | $ 1.090 |
| 5000+ | $ 1.000 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteSPA08N80C3XKSA1
Código Newark98K0551
Também conhecido porSPA08N80C3, SP000216310
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id8A
On Resistance Rds(on)0.65ohm
Drain Source On State Resistance0.65ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd40W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation40W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The SPA08N80C3 is a 800V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate charge. It is suitable for solar, PC Power and adapter applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- Periodic avalanche rated
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Ultra low effective capacitance
- Fully isolated package
- Improved transconductance
- Low specific ON-state resistance
- Field proven CoolMOS™ quality
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
- High efficiency and power density
- Outstanding performance
- High reliability
- Ease of use
Aplicações
Industrial, Power Management, Alternative Energy, Consumer Electronics
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
0.65ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Drain Source On State Resistance
0.65ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
40W
Power Dissipation
40W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos