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ISC033N03LF2SATMA1
MOSFET, N-CH, 30V, 108A, TDSON
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteISC033N03LF2SATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida22AM3160RL
Segmento de fita22AM3160
Gama de produtosStrongIRFET 2 Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.597 | $ 0.60 |
| Total Preço | $ 0.60 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.597 |
| 10+ | $ 0.419 |
| 25+ | $ 0.375 |
| 50+ | $ 0.351 |
| 100+ | $ 0.327 |
| 250+ | $ 0.304 |
| 500+ | $ 0.289 |
| 1000+ | $ 0.278 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteISC033N03LF2SATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida22AM3160RL
Segmento de fita22AM3160
Gama de produtosStrongIRFET 2 Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id108A
Drain Source On State Resistance3300µohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.35V
Power Dissipation71W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET 2 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
108A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
71W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.35V
No. of Pins
8Pins
Product Range
StrongIRFET 2 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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