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IRLML6402TRPBF
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.7 A, 0.065 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRLML6402TRPBF
Código Newark
Rolo completo87AK1454
Rodo à Medida97K2355
Segmento de fita97K2355
Gama de produtosHEXFET Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.579 | $ 0.58 |
| Total Preço | $ 0.58 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.579 |
| 10+ | $ 0.355 |
| 25+ | $ 0.312 |
| 50+ | $ 0.268 |
| 100+ | $ 0.224 |
| 250+ | $ 0.196 |
| 500+ | $ 0.166 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 0.112 |
| 12000+ | $ 0.107 |
| 24000+ | $ 0.099 |
| 36000+ | $ 0.096 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRLML6402TRPBF
Código Newark
Rolo completo87AK1454
Rodo à Medida97K2355
Segmento de fita97K2355
Gama de produtosHEXFET Series
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.7A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
On Resistance Rds(on)0.065ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max550mV
Power Dissipation Pd1.3W
Power Dissipation1.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRLML6402PBF is -20V single P channel HEXFET power MOSFET in Micro3 (SOT-23) package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, ruggedness, fast switching as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications such as battery and load management, portable electronics and PCMCIA cards and printed circuit board where space is at a premium.
- Drain to source voltage (Vds) of -20V
- Gate to source voltage of ±12V
- On resistance Rds(on) of 80mohm at Vgs -2.5V
- Power dissipation Pd of 1.3W at 25°C
- Continuous drain current Id of -3.7A at Vgs -4.5V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
- 0.01W/°C linear derating factor
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
1.3W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.7A
On Resistance Rds(on)
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
550mV
Power Dissipation
1.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para IRLML6402TRPBF
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos