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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.780 |
| 10+ | $ 3.030 |
| 100+ | $ 2.640 |
| 500+ | $ 2.360 |
| 1000+ | $ 2.160 |
| 3000+ | $ 2.160 |
| 5000+ | $ 2.140 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 4.78
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFSL3207ZPBF
Código Newark91Y4710
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id170A
Drain Source On State Resistance4100µohm
On Resistance Rds(on)0.0033ohm
Transistor Case StyleTO-262
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd300W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
4100µohm
Transistor Case Style
TO-262
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 2 - 1 year
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
170A
On Resistance Rds(on)
0.0033ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
300W
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Rastreabilidade de produtos