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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 4.480 | $ 4.48 |
| Total Preço | $ 4.48 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.480 |
| 10+ | $ 3.150 |
| 25+ | $ 2.850 |
| 50+ | $ 2.540 |
| 100+ | $ 2.250 |
| 250+ | $ 2.240 |
| 500+ | $ 2.210 |
| 1600+ | $ 1.880 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFS3004TRL7PP
Código Newark
Rodo à Medida13AC9148
Segmento de fita13AC9148
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id240A
Drain Source On State Resistance0.00125ohm
On Resistance Rds(on)900µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd380W
Power Dissipation380W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
Single N-channel HEXFET® power MOSFET suitable for use in high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits applications.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
- Optimized for broadest availability from distribution partners
- Product qualification according to JEDEC standard
- Normal level: optimized for 10V gate drive voltage
- Industry standard surface-mount power package
- High-current carrying capability package (up to 240A, die-size dependent)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.00125ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
380W
No. of Pins
7Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
240A
On Resistance Rds(on)
900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
380W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para IRFS3004TRL7PP
1 produto encontrado
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Rastreabilidade de produtos

