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IRFI3205PBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 64 A, 0.008 ohm, TO-220FP, Through Hole
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFI3205PBF
Código Newark38K2520
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id64A
On Resistance Rds(on)0.008ohm
Drain Source On State Resistance0.008ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation63W
Power Dissipation Pd63W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- Single N-channel HEXFET® power MOSFET
- Advanced process technology
- Ultra-low ON-resistance
- Isolated package
- Fully avalanche rating
- 2.5KVRMS high voltage isolation
- 4.8mm sink to lead creepage distance
- Dynamic dv/dt rating and low RDS(on)
- Industry-leading quality
- Fast switching
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
On Resistance Rds(on)
0.008ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
63W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
64A
Drain Source On State Resistance
0.008ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
63W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos