Imprimir página
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF9540NPBF
Código Newark63J7431
Gama de produtosHEXFET Series
Também conhecido porSP001560174
Seu número de peça
41,940 Em Estoque
Precisa de mais?
210 Entrega em 1-3 Dias Úteis(US estoque)
41730 Entrega em 2-4 Dias Úteis(UK estoque)
Encomendar antes das 21:00, envio normal
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.000 |
| 10+ | $ 0.958 |
| 100+ | $ 0.857 |
| 500+ | $ 0.665 |
| 1000+ | $ 0.620 |
| 3000+ | $ 0.598 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.00
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF9540NPBF
Código Newark63J7431
Gama de produtosHEXFET Series
Também conhecido porSP001560174
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id23A
On Resistance Rds(on)0.117ohm
Drain Source On State Resistance0.117ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd140W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation140W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRF9540NPBF is -100V single P channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is -100V
- Gate to source voltage is ±20V
- On resistance Rds(on) of 117mohm at Vgs of -10V
- Power dissipation Pd of 140W at 25°C
- Continuous drain current Id of -23A at Vgs -10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.117ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Power Dissipation Pd
140W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
23A
Drain Source On State Resistance
0.117ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
140W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
