Imprimir página
IRF9530NPBF
P CHANNEL MOSFET, -100V, 14A, TO-220AB
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF9530NPBF
Código Newark63J7429
Gama de produtosHEXFET Series
Também conhecido porSP001570634
Seu número de peça
Ficha técnica
7,718 Em Estoque
Precisa de mais?
466 Entrega em 1-3 Dias Úteis(US estoque)
7252 Entrega em 2-4 Dias Úteis(UK estoque)
Encomendar antes das 21:00, envio normal
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.230 |
| 10+ | $ 0.651 |
| 100+ | $ 0.607 |
| 500+ | $ 0.485 |
| 1000+ | $ 0.443 |
| 4000+ | $ 0.409 |
| 10000+ | $ 0.373 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.23
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF9530NPBF
Código Newark63J7429
Gama de produtosHEXFET Series
Também conhecido porSP001570634
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance0.2ohm
On Resistance Rds(on)0.2ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd79W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation79W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRF9530NPBF is -100V single P channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is -100V
- Gate to source voltage is ±20V
- On resistance Rds(on) of 200mohm
- Power dissipation Pd of 79W at 25°C
- Continuous drain current Id of -14A at Vgs -10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
13A
On Resistance Rds(on)
0.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
79W
Power Dissipation
79W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
7 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos