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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.720 |
| 10+ | $ 1.140 |
| 100+ | $ 0.762 |
| 500+ | $ 0.599 |
| 1000+ | $ 0.547 |
| 2500+ | $ 0.503 |
| 12000+ | $ 0.451 |
Informação do produto
Descrição geral do produto
The IRF7343TRPBF is a dual N/P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
- Generation V technology
- Ultra low ON-resistance
- Surface-mount device
- Fully avalanche rated
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Complementary N and P Channel
4.7A
55V
4.7A
0.043ohm
8Pins
2W
-
-
55V
55V
4.7A
0.043ohm
SOIC
2W
150°C
-
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidade do produto
