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IRF530NPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF530NPBF
Código Newark63J7312
Gama de produtosHEXFET Series
Também conhecido porSP001570120
Seu número de peça
Ficha técnica
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.884 |
| 10+ | $ 0.736 |
| 100+ | $ 0.637 |
| 500+ | $ 0.526 |
| 1000+ | $ 0.492 |
| 4000+ | $ 0.457 |
| 10000+ | $ 0.444 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 0.88
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF530NPBF
Código Newark63J7312
Gama de produtosHEXFET Series
Também conhecido porSP001570120
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.09ohm
On Resistance Rds(on)0.09ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd79W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation63W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRF530NPBF is 100V single N channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is 100V
- Gate to source voltage is ±20V
- On resistance Rds(on) of 90mohm at Vgs of 10V
- Power dissipation Pd of 70W at 25°C
- Continuous drain current Id of 17A at Vgs 10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.09ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
On Resistance Rds(on)
0.09ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
79W
Power Dissipation
63W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para IRF530NPBF
1 produto encontrado
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto