Imprimir página
IRF4905PBF
P CHANNEL MOSFET, -55V, 74A, TO-220AB
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF4905PBF
Código Newark63J7300
Gama de produtosHEXFET Series
Também conhecido porSP001571330
Seu número de peça
59,679 Em Estoque
Precisa de mais?
1271 Entrega em 1-3 Dias Úteis(US estoque)
58408 Entrega em 2-4 Dias Úteis(UK estoque)
Encomendar antes das 20:00, envio normal
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.840 |
| 10+ | $ 1.770 |
| 100+ | $ 1.610 |
| 500+ | $ 1.330 |
| 1000+ | $ 1.280 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.84
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF4905PBF
Código Newark63J7300
Gama de produtosHEXFET Series
Também conhecido porSP001571330
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id74A
Drain Source On State Resistance0.02ohm
On Resistance Rds(on)0.02ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation200W
Power Dissipation Pd200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRF4905PBF is -55V single P channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is -55V
- Gate to source voltage is ±20V
- On resistance Rds(on) of 20mohm at Vgs of -10V
- Power dissipation Pd of 200W at 25°C
- Continuous drain current Id of -74A at Vgs 10V and 25°C
- Junction temperature range from -55°C to 175°C
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
74A
On Resistance Rds(on)
0.02ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
200W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
7 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto