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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.010 |
| 10+ | $ 1.220 |
| 100+ | $ 0.948 |
| 500+ | $ 0.856 |
| 1000+ | $ 0.796 |
| 4000+ | $ 0.779 |
| 10000+ | $ 0.733 |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF1018EPBF
Código Newark08N6374
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id79A
On Resistance Rds(on)0.0071ohm
Drain Source On State Resistance7100µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd110W
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRF1018EPBF is a 60V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with high speed power switching and enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability.
- High efficiency synchronous rectification in SMPS
- High frequency hard switching converter
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0071ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
110W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
79A
Drain Source On State Resistance
7100µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para IRF1018EPBF
2 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
