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IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
MOSFET, N-CHANNEL, 25V, 789A, WHTFN
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIQDH29NE2LM5CGSCATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante51 semanas
Código Newark
Rodo à Medida16AM6565RL
Segmento de fita16AM6565
Gama de produtosOptiMOS 5 Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 5.150 | $ 5.15 |
| Total Preço | $ 5.15 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.150 |
| 50+ | $ 2.710 |
| 100+ | $ 2.480 |
| 250+ | $ 2.290 |
| 500+ | $ 2.090 |
| 1000+ | $ 2.050 |
| 2500+ | $ 2.010 |
| 5000+ | $ 1.970 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIQDH29NE2LM5CGSCATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante51 semanas
Código Newark
Rodo à Medida16AM6565RL
Segmento de fita16AM6565
Gama de produtosOptiMOS 5 Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id789A
Drain Source On State Resistance290µohm
Transistor Case StyleWHTFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation278W
No. of Pins9Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 5 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
789A
Transistor Case Style
WHTFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
278W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
290µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
9Pins
Product Range
OptiMOS 5 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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