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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 8.300 |
| 10+ | $ 5.230 |
| 25+ | $ 5.000 |
| 50+ | $ 4.780 |
| 100+ | $ 4.550 |
| 480+ | $ 4.390 |
| 720+ | $ 4.220 |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPW65R095C7XKSA1
Código Newark54X5236
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id24A
Drain Source On State Resistance0.084ohm
On Resistance Rds(on)0.084ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd128W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation128W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.084ohm
Transistor Case Style
TO-247
Power Dissipation Pd
128W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
24A
On Resistance Rds(on)
0.084ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
128W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para IPW65R095C7XKSA1
3 produtos encontrados
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Rastreabilidade de produtos
