Imprimir página
IPTG111N20NM3FDATMA1
MOSFET, N-CH, 200V, 108A, HSOG
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPTG111N20NM3FDATMA1
Código Newark60AJ3896
Gama de produtosOptiMOS 3 Series
Seu número de peça
Já não é fabricado
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPTG111N20NM3FDATMA1
Código Newark60AJ3896
Gama de produtosOptiMOS 3 Series
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id108A
Drain Source On State Resistance9000µohm
On Resistance Rds(on)0.009ohm
Transistor Case StyleHSOG
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd375W
Power Dissipation375W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3 Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
9000µohm
Transistor Case Style
HSOG
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
375W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 3 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
108A
On Resistance Rds(on)
0.009ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto