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IPT020N10N3ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, HSOF, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPT020N10N3ATMA1
Código Newark
Rodo à Medida50Y2079
Segmento de fita50Y2079
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.000 | $ 3.00 |
| Total Preço | $ 3.00 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço | Preço de promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $ 5.630 | $ 3.000 |
| 10+ | $ 3.580 | $ 3.000 |
| 25+ | $ 3.290 | $ 3.000 |
| 50+ | $ 2.980 | $ 2.980 |
| 100+ | $ 2.680 | $ 2.680 |
| 250+ | $ 2.530 | $ 2.530 |
| 500+ | $ 2.380 | $ 2.380 |
| 1000+ | $ 2.300 | $ 2.300 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPT020N10N3ATMA1
Código Newark
Rodo à Medida50Y2079
Segmento de fita50Y2079
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id300A
On Resistance Rds(on)0.0017ohm
Drain Source On State Resistance2000µohm
Transistor Case StyleHSOF
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd375W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation375W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para IPT020N10N3ATMA1
2 produtos encontrados
Descrição geral do produto
The IPT020N10N3 is a N-channel Power MOSFET optimized for high current applications. This new package is a perfect solution for high power applications where highest efficiency, outstanding EMI behaviour as well as best thermal behaviour and space reduction are required.
- Industry‘s lowest R DS(on)
- Highest current capability up to 300A
- Very low package parasitic and inductances
- Less paralleling and cooling required
- Highest system reliability
- Enabling very compact design
- Normal level
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Extremely low ON-resistance RDS (ON)
- High current capability
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free, Green device
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0017ohm
Transistor Case Style
HSOF
Power Dissipation Pd
375W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
300A
Drain Source On State Resistance
2000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto